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科學家發現二維材料中的單原子缺陷可在室溫下保存量子信息

信息來源：本站 | 發布日期： 2024-10-07 09:23:20 | 瀏覽量：81237

摘要：

多數晶體內原子、分子排列并非完美無暇，也因此會形成晶體缺陷，而科學家最近發現層狀二維材料存在的單原子缺陷，竟無需其他特殊條件就可在室溫下保留幾微秒量子信息，凸顯出二維材料推進多種量子技術的潛力。將量子數據儲存在電子自旋特性上需要非常特殊且精密的設計，不…

	多數晶體內原子、分子排列并非完美無暇，也因此會形成晶體缺陷，而科學家最近發現層狀二維材料存在的單原子缺陷，竟無需其他特殊條件就可在室溫下保留幾微秒量子信息，凸顯出二維材料推進多種量子技術的潛力。

	將量子數據儲存在電子自旋特性上需要非常特殊且精密的設計，不仔細控制環境就無法成功。

	最近，曼徹斯特大學與劍橋大學研究人員使用名為六方氮化硼（Hexagonal Boron Nitride，h-BN）的材料，發現其原子缺陷能在環境條件下保留量子信息特性，且這些電子自旋相干還能用光控制。

	六方氮化硼是一種超薄二維材料，由相互堆疊的單原子層組成，這些層透過分子之間的力結合在一起，但有時層與層之間存在微小缺陷（稱為原子缺陷），這些缺陷會吸收、發射可見光子，也能充當困住電子的局部陷阱。

	研究人員便利用這些缺陷研究被捕捉的電子行為、調查其自旋特性，驚訝發現當將某種量子態寫到這些電子自旋上，量子信息能儲存約百萬分之一秒，看起來很短暫，但有趣的是這系統不需特殊條件──甚至不用強力磁鐵，就可在室溫下利用光線控制、操縱缺陷內的電子自旋、儲存自旋量子態。

	這項發現為未來多種量子技術應用、尤其是量子傳感器打開新道路。在真正得以實際應用前，研究人員還有許多事情要解決，比如調查六方氮化硼系統的原子缺陷如何變得更牢靠。

	新論文發表在《自然材料》（Nature Materials）期刊。

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