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氮化硼納米片2022年最新研究進展

信息來源:本站 | 發布日期: 2022-12-16 09:32:36 | 瀏覽量:617324

摘要:

2022年11月7日,ACS Nano期刊報道了一種高散熱性能的氮化硼(BN)/PU聚合物復合材料。該復合材料通過定向冷凍技術獲得,具有雙軸定向導熱網絡,在80 vol %的BN填充量下表現出超高的面內(~39.0 W m-1 K-1)和面內導熱系數(~11.5 W m-1 K-1),遠超已報道的BN/聚合物復合…

2022年11月7日,ACS Nano期刊報道了一種高散熱性能的氮化硼(BN)/PU聚合物復合材料。該復合材料通過定向冷凍技術獲得,具有雙軸定向導熱網絡,在80 vol %的BN填充量下表現出超高的面內(~39.0 W m-1 K-1)和面內導熱系數(~11.5 W m-1 K-1),遠超已報道的BN/聚合物復合材料。此外,這種復合材料作為熱界面材料(TIM)顯示出比商業TIM更高的冷卻效率,芯片溫度最高可降低15℃,即使經過1000次加熱/冷卻循環,仍保持良好的熱穩定性。該項研究開發了一種先進的熱界面材料,對于可穿戴電子產品等新興領域來說非常有價值。
文獻題目:Isotropically Ultrahigh Thermal Conductive Polymer Composites by Assembling Anisotropic Boron Nitride Nanosheets into a Biaxially Oriented Network
Applied Catalysis B: Environmental :高效摻碳氮化硼(C-BN)無金屬NRR電催化劑
2022年5月30日,Applied Catalysis B: Environmental 期刊報道了一種性能優異的摻碳氮化硼(C-BN)無金屬NRR電催化劑。電催化結果顯示,在0.1M的Na2SO4溶液中,在-0.9V對可逆氫電極(RHE)時,該催化及獲得了44.59±1.79μg h-1 mgcat-1的NH3產量,在-0.7V對RHE時具有13.27±0.42%的高法拉第效率(FE),并且具有出色的電化學耐久性。密度泛函理論(DFT)計算顯示,與原始h-BN相比,C-BN明顯提高了材料的導電性,導致電子轉移加速,從而提高了電化學NRR性能。C原子和B原子作為C-BN的雙活性位點,大大降低了電勢決定步驟(PDS)的能量屏障(從*NH-NH到*NH-NH2)。該項結果證實,C-BN有可能成為中性介質中高效的無金屬NRR電催化劑。
文獻題目:Carbon-doped boron nitride nanosheets: A high-efficient electrocatalyst for ambient nitrogen reduction
ACS Nano:氮化硼納米片的抗菌性能
2022年5月5日,ACS Nano報道了氮化硼(BN)納米片在抗菌領域的研究,發現其對抗生素耐藥性(AMR)細菌表現出類似抗生素的活性。BN納米片具有獨立于AMR的抗菌活性,在5種多抗性細菌菌株中表現出強大的抗菌效率,并且在長期使用中沒有引發二次耐藥性,在哺乳動物中也顯示出良好的生物相容性。BN 納米片獨特的Z型環狀細菌殺傷機制,可導致細胞分裂中的關鍵表面蛋白(如FtsP、EnvC、TolB)收縮受損,從而抑制細菌生長。值得注意的是,BN納米片在綠膿桿菌的肺部感染模型中具有強大的抗菌作用,存活率增加了2倍。該項研究表明,BN納米片有望成為納米抗生素用于抑制耐藥菌和防止AMR的進化。

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