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研究前沿:Nature Electronics-石墨烯/六方氮化硼hBN

信息來源:本站 | 發布日期: 2023-02-09 13:44:09 | 瀏覽量:570027

摘要:

在器件結構設計中,多層六方氮化硼Multilayer hexagonal boron nitride,hBN可用于保留其他二維材料的本征物理性質。然而,由于難以合成高質量的大面積多層六方氮化硼hBN,進而整合相同尺度的其他二維材料層,這使得多層六方氮化硼材料集成到大規模二維異質結構,仍然極具…

在器件結構設計中,多層六方氮化硼Multilayer hexagonal boron nitride,hBN可用于保留其他二維材料的本征物理性質。然而,由于難以合成高質量的大面積多層六方氮化硼hBN,進而整合相同尺度的其他二維材料層,這使得多層六方氮化硼材料集成到大規模二維異質結構,仍然極具挑戰。

今日,日本九州大學(Kyushu University) Satoru Fukamachi,Hiroki Ago等,在Nature Electronics上發文,報道了厘米級多層六方氮化硼hBN,主要是在鐵鎳合金箔上,通過化學氣相沉積合成,然后用作石墨烯場效應晶體管的襯底和表面保護層。

還開發了一種集成電化學轉移和熱處理方法,從而創建了高性能石墨烯/六方氮化硼hBN異質堆疊結構。通過常規和可擴展方法制造的石墨烯場效應晶體管陣列顯示,當六方氮化硼hBN用作絕緣襯底時,增強了室溫載流子遷移率,并且當用另一個六方氮化硼hBN片封裝石墨烯時,進一步增加了室溫載流子遷移率(高達10,000cm2V?1s?1)。

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